A Samsung divulgou nesta segunda-feira (23/08) novos detalhes primeiro módulo de memória RAM DDR5-7200 de 512 GB da indústria. Em comparação com os modelos DDR4, o componente é 40% superior, além de ter um gasto de energia menor, de apenas 1,1V.

De acordo com a Samsung, a nova memória DDR5-7200 utiliza oito camadas de funções em cada chip baseados na tecnologia 8-Hi TSV (Through-Silicon-Vias). As dimensões de cada uma destas camadas é de apenas 1,0 mm e cada pente de memória contará com 20 chips na composição. A fabricante também destacou que os novos pentes utilizam a tecnologia de interconexão TSVs que diminui erros e otimiza o resfriamento dos chips, forçando o fluxo de ar para baixo do componente.

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Samsung apresenta novos detalhes da memória RAM DDR5 de 512GB. Divulgação: Samsung
Pente de 512 GB DDR5 deve ser 40% superior aos modelos DDR4. Divulgação: Samsung

Além do ganho energético, a Samsung explica que a nova memória RAM DDR5 consegue alcançar velocidade de até 7.2 Gbps, o que garante uma eficiência 18% maior que a velocidade das memórias DDR4.

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Tecnologia será utilizada em servidores

Ainda de acordo com a Samsung, por enquanto, os novos pentes de memória RAM DDR5-7200 não serão direcionados aos usuários comuns. A tecnologia é utilizada na composição de servidores empresariais que necessitam de dispositivos com taxa de resposta maior e mais rápida. A expectativa da fabricante é que o limite de 512 GB de RAM seja apenas o começo da nova tecnologia e espera fornecer pentes com capacidade de 1 TB a partir de 2023.

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