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Pesquisador sul-coreano planeja construir memória ferroelétrica

Redação Olhar Digital 01/11/2007 18h15
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Novos chips de memória teriam a capacidade de armazenamento da memória Flash com a velocidade da DRAM

O pesquisador sul-coreano Dr. Shin Young-han diz ter descoberto o mecanismo que torna possível a construção de RAM Ferroelétrica, ou FeRAM, um novo tipo de chip de memória que une a capacidade de retenção de dados da memória Flash com a alta velocidade de acesso da memória DRAM. Estas características combinadas deram à FeRAM o apelido de “semicondutor dos sonhos”.

 

Os novos chips poderão armazenar dados dez vezes mais rápido que os atuais chips de memória Flash, e mantê-los por mais de dez anos. FeRAM também consome menos energia que os chips de memória atuais. Sua produção em massa poderá levar a uma revolução na eletrônica e possibilitar, por exemplo, a criação de computadores que retêm informação na memória mesmo depois de desligados, eliminando a espera para carregar o sistema operacional a cada vez que o micro é ligado: a máquina estaria sempre pronta para trabalhar ao toque de um botão. Ainda não há previsão para chegada de chips baseado na tecnologia de FeRAM ao mercado.

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