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Samsung produz memória Flash com densidade recorde

Redação Olhar Digital 31/10/2007 10h45
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Chips com tecnologia de 30 nm tem capacidade de 64 Gb

A Samsung anunciou o desenvolvimento de chips de memória NAND Flash de 64 Gigabits (o equivalente a 8 Gigabytes) com tecnologia de 30 nanômetros. Ao combinar até 16 destes chips em conjunto, seria possível criar um cartão de memória com capacidade de 128 GB. O chip foi desenvolvido com um novo processo criado pela própria Samsung, denominado SaDPT (Self-aligned Double-patterning Technology), protegido por cerca de 30 patentes registradas pela empresa.

 

Além dos chips de 64 Gb, a mesma técnica foi usada para criar chips com capacidade de 32 Gb. Segundo a empresa, produtos equipados com os novos chips devem começar a chegar ao mercado em 2009.

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