Transistores com estrutura 3D prometem mais performance em processadores Intel

Com apenas 22 nanômetros, novas estruturas oferecem economia de energia e ganho de desempenho

A Intel anunciou um avanço científico e uma inovação histórica, apresentando transistores chamados Tri-Gate, que serão adotados na tecnologia de produção dos próximos processadores ainda este ano, em um chip de codinome Ivy Bridge. Além da melhora de performance, os transistores tridimensionais permitem que eles sejam colocados mais próximos uns dos outros, economizando espaço no chip e permitindo maior quantidade de transistores no processador. É um marco em relação ao modo como são fabricados os processadores que equipam todos os eletrônicos atuais.

A tecnologia Tri-Gate foi revelada pela empresa pela primeira vez em 2002 e representa uma mudança fundamental na estrutura dos transistores. "Os novos transistores 3D ajudarão a Intel a reduzir dramaticamente o consumo de energia e os custos por transistor ao mesmo tempo em que melhoram o desempenho", afirma Paul Otellini, Presidente e CEO da Intel.



É essa estrutura 3D que poderá dar continuidade ao ritmo da Lei de Moore (Gordon Moore, cofundador da Intel, disse que os transistores ficariam cada vez menores, mais baratos e mais eficientes no consumo de energia).
“Esse marco vai muito além do acompanhamento do ritmo da Lei de Moore. Os benefícios da baixa voltagem e do baixo consumo de energia ampliam em muito o que normalmente vemos com a transição de um processo tecnológico para o próximo. Esses benefícios darão aos designers de produtos a flexibilidade para tornar os atuais dispositivos mais inteligentes, além de criar outros inteiramente novos. Acreditamos que essa inovação ampliará ainda mais a liderança da Intel sobre o resto da indústria de semicondutores”. 

Os transistores 3D possibilitam que os chips operem em voltagens menores e com menos perdas, fornecendo uma combinação de alto desempenho com eficiência no consumo de energia, se comparado ao melhor transistor da geração anterior. Essas capacidades dão aos projetistas de chips a flexibilidade para escolher transistores voltados para baixo e alto desempenho, dependendo da aplicação.





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