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No início do ano, a Qualcomm anunciou o Snapdragon 835, seu novo processador, que deve estar presente em diversos smartphones lançados em 2017. Segundo a companhia, o processador é 35% menor, usa 25% menos energia e suporta o carregamento Quick Charge 4.0, 20% mais rápido do que a versão anterior.
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Para testar a performance do processador e mostrar os avanços em relação às gerações anteriores, a empresa colocou, lado a lado, um dispositivo de referência com o 835, o Pixel XL e o One Plus 3.0, ambos que usam o Snapdragon 821, o Galaxy S7 e o Galaxy S7 Edge, que usam o Samsung Exynos, além no Huaweii P10, que conta com o Kirin 960.
A empresa usou cinco apps para medir a potência do processador: Geekbench, PC Mark, GFXBench GL, 3D Mark e Antutu. No primeiro teste, o Snapdragon 835 teve um desempenho cerca de 40% melhor do que os concorrentes ao desempenhar tarefas com diversos núcleos. Em tarefas com apenas um núcleo, o lançamento ainda se manteve na liderança, embora com apenas 10% de vantagem. A melhoria em relação ao processador da Huaweii também foi de 10%.
Em seguida, os testes de GFXBench GL e 3D Mark colocara à prova o gráfico Adreno 540 do processador. Em, média, ele teve uma vantagem de 31% em relação à geração anterior da Qualcomm e 30% quando comparado aos concorrentes. No OpenGL ES3.0 Slingshot Unlimited, da Mark 3D, ele se saiu 50% melhor.
Por fim, no teste de desempenho do Antutu, que leva em consideração fatores como RAM, GPU, CPU e velocidade de armazenamento, o 835 ficou à frente da concorrência. Testes da web mostram ainda como o processador se sai no carregamento de páginas pesadas. O Octane, do Google, mostra vantagem de 40% em relação ao processador da Samsung.
Via Digital Trends
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