Os PCs voltados para uso profissional e principalmente os servidores são dispositivos que costumam ultrapassar a casa dos três dígitos quando o assunto é quantidade de memória RAM. A Samsung é uma das empresas que estuda a possibilidade de incluir mais memória em um único chip DRAM, e inclusive já está testando um módulo com impressionantes 512 GB de capacidade.
O novo módulo de memória da Samsung, além de ser um dos primeiros baseados na nova especificação DDR5, também é pioneiro no mercado por sua alta capacidade e pela fabricação no processo chamado de High-K Metal Gate, ou HKMG.
Segundo a fabricante, à medida que os componentes eletrônicos ficam cada vez menores, o mesmo ocorre com sua camada de isolamento, que evita o vazamento de corrente elétrica. Para contornar o problema, a solução da gigante sul-coreana foi apostar nesse procedimento, que substitui o isolante tradicional feito de silício por outros materiais.
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Menos consumo e mais desempenho
A mudança e a redução do vazamento de corrente também trazem outros benefícios. A Samsung foi capaz de, por exemplo, reduzir o consumo de energia do seu módulo de memória em 13%, além de aumentar consideravelmente a largura de banda para 7.200 MB/s, o dobro alcançado pelas memórias DDR4.
A Samsung já utilizou esse mesmo processo da fabricação antes para as memórias GDDR6 utilizada em placas de vídeo desde 2018. Por fim, vale ressaltar que o módulo de 512 GB ainda está em fase inicial de verificação. Sendo assim, não espere que a novidade esteja disponível para o consumidor final. De acordo com a fabricante, o produto tem como público alvo os clientes que trabalham com inteligência artificial e data centers.
Em outubro do ano passado, três anos após a definição dos padrões que guiarão o novo padrão de memória RAM, a SK Hynix, segunda maior empresa de semicondutores da Coreia do Sul, foi quem revelou o primeiro módulo DDR5 da história. A proposta da mudança seria justamente dobrar a largura de banda se comparado a geração anterior, algo realizado pela Samsung em seu novo experimento. Na ocasião, o módulo da SK Hynix alcançou “apenas” 5.600 MB/s, 1,8 vez mais rápido que um módulo DDR4 tradicional.
Fonte: Samsung
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